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1、内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100%都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使PN区载流子的复合率降低。
泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热能，但这部分不占主要成分，因为内部光子效率已经接近90%。
2、内部产生的光子无法全部射出到芯片外部而最后转化为热量，这部分是主要的，因为这种称为外部量子效率只有30%左右，大部分都转化为热量了。
